Японские ученые разработали новый тип микросхем памяти, которые смогу использоваться на протяжении нескольких сотен лет. Для сравнения, современные микросхемы энергонезависимой Flash-памяти имеют срок службы в пределах 10 лет в зависимости от числа циклов записи.
Ферроэлектрические ячейки памяти, разработанные японскими учеными, поддерживают до 100 миллионов циклов перезаписи, имеют размер 10 нм и при записи требуют напряжения лишь в 6В, в то время как современные микросхемы – 20В. |
